近日消息，根据 DigiTimes 发布的最新报道，三星正积极推进 2nm 工艺，希望能够在前沿领域挑战台积电。
三星半导体和设备解决方案（DS）部门负责人 Kye Hyun Kyung 此前公开表示，要在未来 5 年内超越台积电和其它行业巨头。
据韩国新闻媒体 Money Today 援引的内部消息称，三星的半导体代工部门正在快速推进其 2 纳米生产计划，三星正整合优势资源，加速 2nm 技术的研发。一些业内人士甚至在猜测，三星可能会跳过 3 纳米生产，直接跨入 2 纳米制造工艺。
IT之家今年 6 月报道，三星官方公布了最新工艺技术路线图，该公司计划在 2025 年推出 2 纳米级的 SF2 工艺，2027 年推出 1.4 纳米级的 SF1.4 工艺。与此同时，该公司还公布了 SF2 工艺的一些特性。
三星的 SF2 工艺是在今年早些时候推出的第三代 3 纳米级（SF3）工艺的基础上进一步优化的。与 SF3 相比，SF2 工艺可以在相同的频率和复杂度下提高 25% 的功耗效率，在相同的功耗和复杂度下提高 12% 的性能，在相同的性能和复杂度下减少 5% 的面积。
为了让 SF2 工艺更具竞争力，三星还将为该工艺提供一系列先进的 IP 组合，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。
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