近日消息，三星电子本周向投资者透露，近期将过渡和推进光刻技术，计划 2024 年下半年向市场推出采用第二代 3nm 工艺技术（SF3）以及量产版 4nm 工艺（SF4X）的产品。
该公司一份声明中写道：
我们计划今年下半年启动第二代 3nm 工艺、以及用于 HPC 的第 4 代 4nm 工艺的量产，进一步增强我们的技术竞争力。
由于移动需求的反弹和 HPC 需求的持续增长，预计市场将转向增长。
三星即将推出的 SF3 工艺技术是对其现有 SF3E 生产节点的重大升级，根据目前公布的信息，该节点仅用于制造用于加密货币挖矿的小型芯片。
三星声称，SF3 将提供更大的设计多功能性，可以在相同的单元类型中，为不同的全栅极 （GAA） 晶体管提供不同的纳米片通道宽度。
尽管三星没有直接比较 SF3 和 SF3E，但三星表示 SF3 比 SF4（4LPP、4nm 级、低功耗）有重大改进：包括在相同功率和复杂性下性能提高 22%，或者在相同频率和晶体管数量下功耗降低 34%，以及逻辑面积减少 21%。
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