您好!欢迎来到安富世纪24小时商城 登录 注册

产品分类

存储器
NAND04GW3C2BN6E参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

NAND04GW3C2BN6E

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
库存:4,700(价格仅供参考)
数量单价合计
暂无价格,请联系询价
询价数量:
加入询价单立即询价
参数信息
参数参数值
包装
托盘
系列
-
零件状态
停產
存储器类型
非易失
存储器格式
闪存
技术
闪存 - NAND
存储容量
4Gb (512M x 8)
存储器接口
并联
时钟频率
并联
写周期时间 - 字,页
25ns
访问时间
25ns
电压 - 电源
2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
供应商器件封装
48-TSOP
商品其它信息
优势价格,NAND04GW3C2BN6E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
存储器
IC FLASH 2G PARALLEL 64FBGA
暂无价格
参考库存:10183
存储器
IC FLASH MEM 16MB SPI 8SOIC
暂无价格
参考库存:10188
存储器
IC DRAM 2G PARALLEL 96BGA
暂无价格
参考库存:10193
存储器
IC SRAM 128K PARALLEL 100TQFP
暂无价格
参考库存:10198
存储器
IC FLASH MEM 32MB 16SOIC
暂无价格
参考库存:10203
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市安富世纪电子有限公司

电话:0755-83299789

手机:13510906313

传真:0755-83290789

Email:2881358670@qq,com

Q Q:

地址:深圳市福田区华强北街道华强广场A座


微信联系我们

Copyright © 2015-2021 深圳市安富世纪电子有限公司 粤ICP备16126460号