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DMG1012T-7

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
630mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
.74nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±6V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
60.67pF @ 16V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
280mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-523
封装/外壳
SOT-523
商品其它信息
优势价格，DMG1012T-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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