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FET，MOSFET - 单个
BUK9Y4R8-60E,115参考图片

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BUK9Y4R8-60E,115

  • Nexperia USA Inc.
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  • MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
4.1 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
50nC @ 5V
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
7853pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
238W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳
SC-100，SOT-669
商品其它信息
优势价格，BUK9Y4R8-60E,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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