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FET，MOSFET - 单个

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BSM400C12P3G202

  • Rohm Semiconductor
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
托盘
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）
1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
400A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5.6V @ 106.8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
5.6V @ 106.8mA
Vgs（最大值）
+22V，-4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
17000pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1570W（Tc）
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
底座安装
供应商器件封装
模块
封装/外壳
模块
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
64-9145
Infineon Technologies
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暂无价格
参考库存:12489
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暂无价格
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MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP
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IRF7811AVTR
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MOSFET N-CH 55V 18A TO-262
暂无价格
参考库存:12514
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