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FET，MOSFET - 单个
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TP89R103NL,LQ

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
U-MOSVIII-H
零件状态
Digi-Key 停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
9.1 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.3V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
9.8nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
820pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOP
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
商品其它信息
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