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2SJ681(Q)

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
批号:最新
描述:MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
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参数信息

参数	参数值
包装	散装
系列	-
零件状态	停產
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	170 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	15nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	700pF @ 10V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	20W（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	PW-MOLD2
封装/外壳	TO-251-3 短截引线，IPak

商品其它信息

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