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FET，MOSFET - 单个
SI6469DQ-T1-E3参考图片

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SI6469DQ-T1-E3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
TrenchFET®
零件状态
停產
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
8V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
28 毫欧 @ 6A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
450mV @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
40nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
±8V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-TSSOP
封装/外壳
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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