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FET,MOSFET - 单个
NTD4863NA-35G参考图片

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NTD4863NA-35G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N-CH 25V 49A SGL IPAK
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9.2A(Ta),49A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
9.2A(Ta),49A(Tc)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
9.3 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
17.8nC @ 10V
Vgs(最大值)
17.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
990pF @ 12V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.27W(Ta),36.6W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
I-PAK
封装/外壳
TO-251-3 短截引线,IPak
商品其它信息
优势价格,NTD4863NA-35G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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