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TPCF8107,LF

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
批号:最新
描述:MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
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参数信息

参数	参数值
包装	剪切带（CT）
系列	-
零件状态	Digi-Key 停产
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	28 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	22nC @ 10V
Vgs（最大值）	22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	970pF @ 10V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	700mW（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	VS-8 (2.9x1.5)
封装/外壳	8-SMD，扁平引线

商品其它信息

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