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FET,MOSFET - 射频
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CG2H40120F

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参数信息
参数参数值
包装
托盘
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
HEMT
频率
2.5GHz
增益
20dB
电压 - 测试
28V
额定电流(安培)
28A
噪声系数
-
电流 - 测试
1A
功率 - 输出
130W
电压 - 额定
84V
封装/外壳
440223
供应商器件封装
440223
商品其它信息
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