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FET，MOSFET - 射频

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MRF085HR3

  • NXP USA Inc.
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  • WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
晶体管类型
LDMOS（双）
频率
1.8MHz ~ 1.215GHz
增益
25.6dB
电压 - 测试
50V
额定电流（安培）
2µA
噪声系数
-
电流 - 测试
100mA
功率 - 输出
85W
电压 - 额定
133V
封装/外壳
NI-650H-4L
供应商器件封装
NI-650H-4L
商品其它信息
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