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FET，MOSFET - 阵列

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SIZ250DT-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
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  • MOSFET DUAL N-CH 60-V POWERPAIR
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
TrenchFET® Gen IV
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
14A（Ta），38A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
12.2 毫欧 @ 10A，10V，12.7 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
840pF，790pF @ 30V
功率 - 最大值
4.3W（Ta），33W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerWDFN
供应商器件封装
8-PowerPair®（3.3x3.3）
商品其它信息
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