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FET，MOSFET - 阵列
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STL15DN4F5

  • STMicroelectronics
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  • MOSFET 2N-CH 40V 60A POWERFLAT
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
汽车级，AEC-Q101，STripFET™ V
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
60A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
9 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1550pF @ 25V
功率 - 最大值
60W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
PowerFlat™（5x6）
商品其它信息
优势价格，STL15DN4F5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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