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FET,MOSFET - 阵列
SI6954ADQ-T1-GE3参考图片

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SI6954ADQ-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
TrenchFET®
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
3.1A
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
53 毫欧 @ 3.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
功率 - 最大值
830mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商器件封装
8-TSSOP
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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