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FET，MOSFET - 阵列
SI3585CDV-T1-GE3参考图片

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SI3585CDV-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
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  • MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
TrenchFET®
零件状态
有源
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.9A，2.1A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
58 毫欧 @ 2.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
4.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
150pF @ 10V
功率 - 最大值
1.4W，1.3W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSOP
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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