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FET，MOSFET - 阵列
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SH8K39GZETB

  • Rohm Semiconductor
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  • 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K39
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
21 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.7V @ 200µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1240pF @ 30V
功率 - 最大值
1.4W（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SOP
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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