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FET，MOSFET - 阵列

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NTMFD4C20NT1G

制造商:ON Semiconductor
批号:最新
描述:MOSFET 2N-CH 30V SO8FL
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参数信息

参数	参数值
包装	剪切带（CT）
系列	-
零件状态	有源
FET 类型	2 N-通道（双）
FET 功能	标准
漏源电压（Vdss）	30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	9.1A，13.7A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	7.3 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	9.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	970pF @ 15V
功率 - 最大值	1.09W，1.15W
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	8-PowerTDFN
供应商器件封装	8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道-非对称）

商品其它信息

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图片	型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
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