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FET，MOSFET - 阵列
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CSD87384MT

  • Texas Instruments
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
剪切带（CT）
系列
NexFET™
零件状态
有源
FET 类型
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
30A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
7.7 毫欧 @ 25A，8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.9V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
9.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1150pF @ 15V
功率 - 最大值
8W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
5-LGA
供应商器件封装
5-PTAB（5x3.5）
商品其它信息
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