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FET，MOSFET - 阵列
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TPD3215M

  • Transphorm
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  • GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
70A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
34 毫欧 @ 30A，8V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
28nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2260pF @ 100V
功率 - 最大值
470W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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