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FET，MOSFET - 阵列
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NTLLD4951NFTWG

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5.5A，6.3A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
17.4 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
605pF @ 15V
功率 - 最大值
800mW，810mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerWDFN
供应商器件封装
8-WDFN（3x3）
商品其它信息
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