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FET，MOSFET - 阵列

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APTMC120TAM12CTPAG

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
散装
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
6 N-沟道（3 相桥）
FET 功能
碳化硅 （SiC）
漏源电压（Vdss）
1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
220A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
12 毫欧 @ 150A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 30mA（标准）
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
483nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
8400pF @ 1000V
功率 - 最大值
925W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP6
供应商器件封装
SP6-P
商品其它信息
优势价格，APTMC120TAM12CTPAG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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