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FET，MOSFET - 阵列

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ALD114904PAL

制造商:Advanced Linear Devices Inc.
批号:最新
描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
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参数信息

参数	参数值
包装	管件
系列	EPAD®
零件状态	有源
FET 类型	2 N 沟道（双）配对
FET 功能	耗尽模式
漏源电压（Vdss）	10.6V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	12mA，3mA
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）	500 欧姆 @ 3.6V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	360mV @ 1µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2.5pF @ 5V
功率 - 最大值	500mW
工作温度	0°C ~ 70°C（TJ）
安装类型	通孔
封装/外壳	8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装	8-PDIP

商品其它信息

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