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FET，MOSFET - 阵列

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GWM160-0055X1-SLSAM

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET 6N-CH 55V 150A ISOPLUS
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
6 N-沟道（3 相桥）
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
150A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
3.3 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
105nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
-
功率 - 最大值
-
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
17-SMD，扁平引线
供应商器件封装
ISOPLUS-DIL™
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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