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FET，MOSFET - 阵列
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TPC8212-H(TE12LQ,M

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
21 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
840pF @ 10V
功率 - 最大值
450mW
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装
8-SOP（5.5x6.0）
商品其它信息
优势价格，TPC8212-H(TE12LQ,M的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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