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UGBT、MOSFET - 单
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STGWT30V60DF

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
120A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.3V @ 15V，30A
功率 - 最大值
258W
开关能量
383µJ（开），233µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
163nC
25°C 时 Td（开/关）值
45ns/189ns
测试条件
400V，30A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
53ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P
商品其它信息
优势价格，STGWT30V60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NGB8207NT4G
ON Semiconductor
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IGBT 600V 140A 454W TO247AC
暂无价格
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