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UGBT、MOSFET - 单
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STGWT20IH125DF

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
1250V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
40A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
80A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.5V @ 15V，15A
功率 - 最大值
259W
开关能量
410µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
68nC
25°C 时 Td（开/关）值
-/106ns
测试条件
600V，15A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
600V，15A，10 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P
商品其它信息
优势价格，STGWT20IH125DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FGA60N60UFDTU
ON Semiconductor
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 120A 298W TO3P
暂无价格
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IXGH32N170
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IXXK110N65B4H1
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暂无价格
参考库存:330
IXYH10N170CV1
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IGBT 1.7KV 36A TO247
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IXGA28N60A3
IXYS
UGBT、MOSFET - 单
IGBT
暂无价格
参考库存:4131
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