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UGBT、MOSFET - 单

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IXXH110N65B4

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
XPT™，GenX4™
零件状态
有源
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
250A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
570A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.1V @ 15V，110A
功率 - 最大值
880W
开关能量
2.2mJ（开），1.05mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
183nC
25°C 时 Td（开/关）值
26ns/146ns
测试条件
400V，55A，2 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
40ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247（IXXH）
商品其它信息
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