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UGBT、MOSFET - 单
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IXXN200N65A4

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
XPT™，GenX4™
零件状态
有源
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
440A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
1200A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
1.8V @ 15V，200A
功率 - 最大值
1250W
开关能量
8.8mJ（开），6.7mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
736nC
25°C 时 Td（开/关）值
140ns/1.04µs
测试条件
400V，100A，1 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
160ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装
SOT-227B
商品其它信息
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