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UGBT、MOSFET - 单
APT100GN120B2G参考图片

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APT100GN120B2G

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
245A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
300A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2.1V @ 15V,100A
功率 - 最大值
960W
开关能量
11mJ(开), 9.5mJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
540nC
25°C 时 Td(开/关)值
50ns/615ns
测试条件
800V,100A,1 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
800V,100A,1 欧姆,15V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3 变式
供应商器件封装
TO-247-3 变式
商品其它信息
优势价格,APT100GN120B2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 80A 283W TO220AB
暂无价格
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暂无价格
参考库存:7480
UGBT、MOSFET - 单
AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE
暂无价格
参考库存:10350
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IGBT 1200V 100A 625W TO247
暂无价格
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