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UGBT、MOSFET - 单

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STGWT30HP65FB

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
HB
零件状态
有源
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
120A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
2V @ 15V,30A
功率 - 最大值
260W
开关能量
293µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
149nC
25°C 时 Td(开/关)值
-/146ns
测试条件
400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
140ns
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P
商品其它信息
优势价格,STGWT30HP65FB的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 24A 75W TO263
暂无价格
参考库存:10227
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 24A 104W TO247
暂无价格
参考库存:6813
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 60A 58W TO3PF
暂无价格
参考库存:10239
UGBT、MOSFET - 单
IGBT - 650V, 160A FIELD STOP TRE
暂无价格
参考库存:10249
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 69A 417W TO247
暂无价格
参考库存:6426
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