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UGBT、MOSFET - 单
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FGA15N120ANDTU

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 1200V 24A 200W TO3P
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
24A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
45A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
3.2V @ 15V，15A
功率 - 最大值
200W
开关能量
3.27mJ（开），600µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
120nC
25°C 时 Td（开/关）值
90ns/310ns
测试条件
600V，15A，20 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
330ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3PN
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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