RJH60D3DPP-M0#T2现货_RJH60D3DPP-M0#T2详细资料_PDF文档_安富世纪24小时商城

您好！欢迎来到安富世纪24小时商城登录注册

产品分类

首页商品目录品牌专区 BOM配单品牌入驻自营现货

UGBT、MOSFET - 单

RJH60D3DPP-M0#T2参考图片

图片仅供参考，请参阅产品规格

分享到：
0

RJH60D3DPP-M0#T2

制造商:Renesas Electronics America
批号:最新
描述:IGBT 600V 35A 30W TO220FL
PDF下载:

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

*联系人：
*电话：
QQ：
*邮箱：

库存：7,089(价格仅供参考)

数量	单价	合计
暂无价格,请联系询价

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

PDF资料下载
RJH60D3DPP-M0#T2 PDF资料下载

参数信息

参数	参数值
包装	管件
系列	-
零件状态	有源
IGBT 类型	沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）	600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	35A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	35A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）	2.2V @ 15V，17A
功率 - 最大值	40W
开关能量	200µJ（开），210µJ（关）
输入类型	标准
栅极电荷	37nC
25°C 时 Td（开/关）值	35ns/80ns
测试条件	300V，17A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）	100ns
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3 整包
供应商器件封装	TO-220FL

商品其它信息

优势价格，RJH60D3DPP-M0#T2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

图片	型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
	IRG4PC30U	Infineon Technologies	UGBT、MOSFET - 单	PDF数据手册	IGBT 600V 23A 100W TO247AC	暂无价格	参考库存:12318
	IXGT32N60BD1	IXYS	UGBT、MOSFET - 单	PDF数据手册	IGBT 600V 60A 200W TO268	暂无价格	参考库存:12323
	IXST45N120B	IXYS	UGBT、MOSFET - 单	PDF数据手册	IGBT 1200V 75A 300W TO268	暂无价格	参考库存:12328
	IRG4BC20MD-SPBF	Infineon Technologies	UGBT、MOSFET - 单	PDF数据手册	IGBT 600V 18A 60W D2PAK	暂无价格	参考库存:12338
	IXGA16N60B2	IXYS	UGBT、MOSFET - 单	PDF数据手册	IGBT 600V 40A 150W TO263	暂无价格	参考库存:12343

一站式采购
正品保障
价格优势
闪电发货

真诚态度真“芯”服务服务只在安富

最新动态
企业动态
产品动态

深圳市安富世纪电子有限公司

电话：0755-83299789

手机：13510906313

传真：0755-83290789

Email：2881358670@qq,com

Q Q：

地址：深圳市福田区华强北街道华强广场A座

微信联系我们

Copyright © 2015-2021 深圳市安富世纪电子有限公司粤ICP备16126460号