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UGBT、MOSFET - 单
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HGTD3N60C3S9A

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • IGBT 600V 6A 33W TO252AA
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
6A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
24A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2V @ 15V，3A
功率 - 最大值
33W
开关能量
85µJ（开），245µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
10.8nC
25°C 时 Td（开/关）值
-
测试条件
480V，3A，82 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
480V，3A，82 欧姆，15V
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装
TO-252AA
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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