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UGBT、MOSFET - 单
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IRG4BC30UPBF

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
最後搶購
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
23A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
92A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
2.1V @ 15V，12A
功率 - 最大值
100W
开关能量
160µJ（开），200µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
50nC
25°C 时 Td（开/关）值
17ns/78ns
测试条件
480V，12A，23 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
480V，12A，23 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220AB
商品其它信息
优势价格，IRG4BC30UPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SGW15N120FKSA1
Infineon Technologies
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IGBT 1200V 30A 198W TO247-3
暂无价格
参考库存:10021
IHY15N120R3XKSA1
Infineon Technologies
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 1200V 30A 254W TO247HC-3
暂无价格
参考库存:10026
NGTB30N60IHLWG
ON Semiconductor
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IGBT 600V 30A TO247
暂无价格
参考库存:10031
IHW40N135R3FKSA1
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IGBT 1350V 80A 429W TO247-3
暂无价格
参考库存:10036
SGW30N60FKSA1
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UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 41A 250W TO247-3
暂无价格
参考库存:10041
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