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FET，MOSFET - 阵列
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UM6K1NTN

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
不適用於新設計
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100mA
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
8 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
13pF @ 5V
功率 - 最大值
150mW
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
UMT6
商品其它信息
优势价格，UM6K1NTN的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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