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FET，MOSFET - 阵列

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SQ1563AEH-T1_GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N/P-CH 20V POWERPAKSC70-6
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
TrenchFET®
零件状态
有源
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
850mA（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
280 毫欧 @ 850mA, 4.5V, 575 毫欧 @ 800mA, 4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
1.25nC @ 4.5V, 1.33nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
89pF @ 10V, 84pF @ 10V
功率 - 最大值
1.5W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® SC-70-6 双
供应商器件封装
PowerPAK® SC-70-6 双
商品其它信息
优势价格，SQ1563AEH-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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