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FET，MOSFET - 阵列
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NTMFD4901NFT3G

  • ON Semiconductor
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  • MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
2 个 N 通道（双），肖特基
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10.3A，17.9A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
6.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
9.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1150pF @ 15V
功率 - 最大值
1.1W，1.2W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-DFN（5x6） 双标记（SO8FL-双通道-非对称）
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CSD86311W1723
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