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UGBT、MOSFET - 单
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STGYA120M65DF2

  • STMicroelectronics
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  • TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
M
零件状态
有源
IGBT 类型
NPT，沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
160A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
360A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
1.95V @ 15V，120A
功率 - 最大值
625W
开关能量
1.8mJ（开），4.41mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
420nC
25°C 时 Td（开/关）值
66ns/185ns
测试条件
400V，120A，4.7 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
202ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3 裸露焊盘
供应商器件封装
MAX247™
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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