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UGBT、MOSFET - 单

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RJP65T54DPM-E0#T2

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参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
停產
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
225A
不同Vge,Ic 时的Vce(on)
1.68V @ 15V,30A
功率 - 最大值
63.5W
开关能量
330µJ(开),760µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
72nC
25°C 时 Td(开/关)值
35ns/120ns
测试条件
400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
400V,30A,10 欧姆,15V
工作温度
175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3PFM,SC-93-3
供应商器件封装
TO-3PF
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
UGBT、MOSFET - 单
IGBT 600V 24A 40W TO220FP
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